用途:斜方晶型,各向异性显著,0℃的电阻率沿a,b,c三个轴分别为1.75×10-6•m,8.20×10-6•m和55.30×10-6•m。超纯镓剩余电阻率比值ρ300K/ρ4.2K为55000。主要用于电子工业和通讯领域,是制取各种镓化合物半导体的原料,硅、锗半导体的掺杂剂,核反应堆的热交换介质。
化学成分:
牌号 |
化学成分(质量分数)/% |
Ga 不小于 |
杂质含量不大于/×10-6 |
Fe |
Si |
Pb |
Zn |
Sn |
Mg |
Cu |
Mn |
Cr |
Ni |
总和 |
|
Ga-06 |
99.9999 |
3 |
5 |
3 |
3 |
3 |
3 |
2 |
3 |
3 |
3 |
100 |
|
注1:表中镓百分含量为100%减去表中所列杂质含量(质量分数)的总和。 注2:表中未列的其他杂质元素,可由供需双方协商确定。 |
产品规格:高纯镓按GB/T 10118-2009或按用户要求定制产品。
包装规格:500克/瓶、1000克/瓶聚乙烯塑料瓶包装外套双层复合膜抽真空封装或按用户要求