1.用途:氧化铟(In2O3)是一种新型的N型透明半导体气敏材料。有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性,在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛的应用。氧化铟粉近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域,作为生产铟锡氧化物(ITO)靶材的主要原料,可用于制造透明导电膜、透明电极和透明热反射体材料,大量用于平面液晶显示器、触摸屏、冰柜玻璃、汽车玻璃除雾等。氧化铟(氢氧化铟)还可作为碱性电池的代汞缓蚀剂,对提高电池电性能和抑制气体的产生有较好的效果。
2.化学成分:
等级 |
化学成分(质量分数)/% |
In2O3 不小于 |
In 不小于 |
Cl 不大于 |
灼减量不大于 |
杂质含量/,不大于 |
Al |
As |
Cd |
Cu |
4N |
99.99 |
81.5 |
0.5 |
0.5 |
0.0010 |
0.0005 |
0.0010 |
0.0008 |
5N |
99.999 |
81.5 |
0.5 |
0.5 |
0.00015 |
0.00005 |
0.00005 |
0.00005 |
等级 |
化学成分(质量分数)/% |
杂质含量/,不大于 |
Fe |
Pb |
Sb |
Sn |
Tl |
Zn |
杂质总和 |
4N |
0.0010 |
0.0015 |
0.0005 |
0.0012 |
0.0010 |
0.0015 |
0.01 |
5N |
0.0001 |
0.0001 |
0.00005 |
0.00015 |
0.00015 |
0.00015 |
0.001 |
3.产品规格:高纯氧化铟按GB/T 23363-2009或按用户要求定制。
4.包装规格:500g/瓶、1000g/瓶聚乙烯塑料瓶包装或按用户要求包装